繁體中文
English
 
  首頁 產品介紹 整流器
產品介紹 /
整流器
场效应电晶体
绝缘栅双极电晶体
桥式整流器
封装加工

新產品介紹
SMAF-A
PFC新开发SMAF-A封装型态产品,针对手机充电器及网通电源应用需要开发的高散热能力封装。     ...
 
整流器
金属氧化物整流器
  由CMOS结构组成,并以CMOS积体电路工艺制造。 有三种VF级别可提供: (...
SLVF萧特基整流器/HPTR
SLVF其结合了超低VF及快速开关,并优化了耐压,可应用于80V〜120V的反向电压 SLVF萧特基整流器(HPTR ™/ SLVF...
SMAF-A
PFC新开发SMAF-A封装型态产品,针对手机充电器及网通电源应用需要开发的高散热能力封装。     ...
 
  Part number Type VF Level Die IF (A) VB (V) VF(V) 25℃ IR(uA) 25℃ VF(V) 125℃ IR(mA) 125℃ Package IFSM(A) Tj (℃)
    Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
Filter:
P10150D MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 TO-252 80 -65~175
P10150E MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 TO-251 80 -65~175
P10200D MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 TO-252 80 -65~175
P10200E MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 TO-251 80 -65~175
P10L150SP MOS Schottky L 1 10 150 0.83 100 0.72 10 TO-277 180 -65~150
P10L200SP MOS Schottky L 1 10 200 0.86 100 0.75 10 TO-277 275 -65~150
P10L300D MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.8 10 TO-252 120 -65~175
P10L300E MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.8 10 TO-251 120 -65~175
P10L300SP MOS Schottky L 1 10 300 0.92 50 0.81 10 TO-277 180 -65~150
P10L45SP MOS Schottky L 1 10 45 0.50 500 0.47 100 TO-277 160 -65~150
P10L60SP MOS Schottky L 1 10 60 0.65 500 0.60 100 TO-277 160 -65~150
P10V45SP MOS Schottky V 1 10 45 0.47 300 0.42 75 TO-277 275 -65~150
P10V50SP MOS Schottky V 1 10 50 0.48 300 0.45 75 TO-277 275 -65~150
P10V60SP MOS Schottky V 1 10 60 0.51 500 0.48 100 TO-277 275 -65~150
P1550SP MOS Schottky S 1 15 50 0.55 500 0.52 100 TO-277 275 -65~150
P15L30SP MOS Schottky L 1 15 30 0.48 300 0.46 100 TO-277 200 -65~150
P15L50N5 MOS Schottky L 1 15 50 0.53 500 0.51 100 DFN 5*6 300 -40~150
P15L50SP MOS Schottky L 1 15 50 0.53 500 0.51 100 TO-277 275 -65~150
P15L60SP MOS Schottky L 1 15 60 0.6 500 0.58 100 TO-277 275 -65~150
P15V50N5 MOS Schottky V 1 15 50 0.51 500 0.49 100 DFN 5*6 300 -40~150
P15V50SP MOS Schottky V 1 15 50 0.51 500 0.49 100 TO-277 275 -65~150
P15V60N5 MOS Schottky V 1 15 60 0.56 500 0.54 100 DFN 5*6 300 -40~150
P15V60SP MOS Schottky V 1 15 60 0.56 500 0.54 100 TO-277 275 -65~150
P20150D MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.78 10 TO-252 100 -65~175
P20150E MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.78 10 TO-251 100 -65~175
P20200D MOS Schottky S 2 20 200 0.95 100 0.85 10 TO-252 100 -65~175
P20200E MOS Schottky S 2 10 200 0.95 100 0.85 10 TO-251 100 -65~175
P2060D MOS Schottky S 2 20 60 0.70 500 0.65 100 TO-252 120 -40~150
P2060E MOS Schottky S 2 20 60 0.70 500 0.65 100 TO-251 120 -40~150
P20L45D MOS Schottky L 2 20 45 0.50 300 0.47 100 TO-252 180 -65~150
P20L45E MOS Schottky L 2 20 45 0.50 300 0.47 100 TO-251 180 -65~150
P20L50N5 MOS Schottky L 1 20 50 0.60 500 0.55 100 DFN 5*6 300 -40~150
P20L50SP MOS Schottky L 1 20 50 0.60 500 0.56 100 TO-277 275 -65~150
P20L60N5 MOS Schottky L 1 20 60 0.62 500 0.58 100 DFN 5*6 300 -40~150
P20L60SP MOS Schottky L 1 20 60 0.65 500 0.61 100 TO-277 275 -65~150
P20V45SP MOS Schottky V 1 20 45 0.52 300 0.48 20 TO-277 275 -65~150
P2V40A MOS Schottky V 1 2 40 0.42 1000 0.38 50 SMA 50 -65~150
P30L50N5 MOS Schottky L 1 30 50 0.63 500 0.60 100 DFN 5*6 300 -40~150
P3L150A MOS Schottky L 1 3 150 0.88 100 0.73 20 SMA 50 -65~150
P3L150F-A MOS Schottky L 1 3 150 0.88 100 0.73 20 SMAF-A 50 -65~175
P3L200A MOS Schottky L 1 3 200 0.90 100 0.75 20 SMA 50 -65~150
P3L200B MOS Schottky L 1 3 200 0.90 100 0.75 20 SMB 50 -65~175
P3L200F-A MOS Schottky L 1 3 200 0.90 100 0.75 20 SMAF-A 50 -65~175
P3L300A MOS Schottky L 1 3 300 0.92 100 0.83 20 SMA 50 -65~150
P3L300B MOS Schottky L 1 3 300 0.92 100 0.83 20 SMB 50 -65~175
P3L300F-A MOS Schottky L 1 3 300 0.92 100 0.83 20 SMAF-A 50 -65~175
P3L40A MOS Schottky L 1 3 40 0.50 500 0.47 100 SMA 50 -65~150
P3L40F-A MOS Schottky L 1 3 40 0.5 500 0.47 @100℃ 40 SMAF-A 50 -65~150
P3L45BF MOS Schottky L 1 3 45 0.53 500 0.51 100 SMBF 50 -65~150
P3L45F-A MOS Schottky L 1 3 45 0.53 500 0.51 @100℃ 40 SMAF-A 50 -65~150
 
Showing results 1 to 50 of 650        Show results perpage