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PFC新開發SMAF-A封裝型態產品，針對手機充電器及網通電源應用需要開發的高散熱能力封裝。 ...

金屬氧化物整流器

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	Part number	Type	VF Level	Die	IF (A)	VB (V)	VF(V) 25℃	IR(uA) 25℃	VF(V) 125℃	IR(mA) 125℃	Package	IFSM(A)	Tj (℃)
		Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:	Filter:
	P5V45SP	MOS Schottky	V	1	5	45	0.48	300	0.44	75	TO-277	100	-65~150
	P5L200SP	MOS Schottky	L	1	5	200	0.87	100	0.73	20	TO-277	100	-65~150
	P8L45SP	MOS Schottky	L	1	8	45	0.56	300	0.51	75	TO-277	150	-65~150
	P10L45SP	MOS Schottky	L	1	10	45	0.50	500	0.47	100	TO-277	160	-65~150
	P10V45SP	MOS Schottky	V	1	10	45	0.47	300	0.42	75	TO-277	275	-65~150
	P10V50SP	MOS Schottky	V	1	10	50	0.48	300	0.45	75	TO-277	275	-65~150
	P10V60SP	MOS Schottky	V	1	10	60	0.51	500	0.48	100	TO-277	275	-65~150
	P10L150SP	MOS Schottky	L	1	10	150	0.83	100	0.72	10	TO-277	180	-65~150
	P10L200SP	MOS Schottky	L	1	10	200	0.86	100	0.75	10	TO-277	275	-65~150
	P15L30SP	MOS Schottky	L	1	15	30	0.48	300	0.46	100	TO-277	200	-65~150
	P1550SP	MOS Schottky	S	1	15	50	0.55	500	0.52	100	TO-277	275	-65~150
	P15L50SP	MOS Schottky	L	1	15	50	0.53	500	0.51	100	TO-277	275	-65~150
	P15V50SP	MOS Schottky	V	1	15	50	0.51	500	0.49	100	TO-277	275	-65~150
	P15L60SP	MOS Schottky	L	1	15	60	0.6	500	0.58	100	TO-277	275	-65~150
	P15V60SP	MOS Schottky	V	1	15	60	0.56	500	0.54	100	TO-277	275	-65~150
	P20L50SP	MOS Schottky	L	1	20	50	0.60	500	0.56	100	TO-277	275	-65~150
	P20L60SP	MOS Schottky	L	1	20	60	0.65	500	0.61	100	TO-277	275	-65~150
	P15L400SP	MOS Schottky	L	1	15	400	0.96	100	0.84	10	TO-277	220	-65~150
	P10L300SP	MOS Schottky	L	1	10	300	0.92	50	0.81	10	TO-277	180	-65~150
	P8L60SP	MOS Schottky	L	1	8	60	0.61	500	---	100	TO-277	100	-65~150
	P10L60SP	MOS Schottky	L	1	10	60	0.65	500	0.60	100	TO-277	160	-65~150
	P20V45SP	MOS Schottky	V	1	20	45	0.52	300	0.48	20	TO-277	275	-65~150
	P15L45SP	MOS Schottky	L	1	15	45	0.53	500	0.51	100	TO-277	275	-65~150
	P5L150SP	MOS Schottky	L	1	5	150	0.84	100	0.7	20	TO-277	100	-65~150
	P5L60SP	MOS Schottky	L	1	5	60	0.53	500	0.50	100	TO-277	100	-65~150

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