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新產品介紹
SMAF-A
PFC新開發SMAF-A封裝型態產品,針對手機充電器及網通電源應用需要開發的高散熱能力封裝。     ...
 
整流器
金屬氧化物整流器
  由CMOS結構組成,並以CMOS積體電路工藝製造。 有三種VF級別可提供: (1)...
SLVF蕭特基整流器/HPTR
SLVF 其結合了超低VF及快速開關,並優化了耐壓,可應用於80V~120V的反向電壓 SLVF蕭特基整...
SMAF-A
PFC新開發SMAF-A封裝型態產品,針對手機充電器及網通電源應用需要開發的高散熱能力封裝。     ...
 
  Part number Type VF Level Die IF (A) VB (V) VF(V) 25℃ IR(uA) 25℃ VF(V) 125℃ IR(mA) 125℃ Package IFSM(A) Tj (℃)
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SR3L06H Standard Schottky L 1 3 60 0.51 500 DO-201AD 80 -65~150
SS36B Standard Schottky S 1 3 60 0.70 1000 SMB 80 -65~125
SR360H Standard Schottky S 1 3 60 0.70 500 DO-201AD 80 -55~125
SR340H Standard Schottky S 1 3 40 0.55 500 DO-201AD 80 -55~125
SR3100H Standard Schottky S 1 3 100 0.85 500 -- -- DO-201AD 80 -55~150
PFS5L200 MOS Schottky L 1 5 200 0.89 100 0.76 10 DO-201AD 150 -65~175
P10L150SP MOS Schottky L 1 10 150 0.83 100 0.72 10 TO-277 180 -65~150
PFR10150CT MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 TO-220AB 120 -65~175
PFR10150CTB MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 TO-263AB 120 -65~175
PFR10150CTF MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 ITO-220AB 120 -65~175
PFR10150CTI MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 TO-262AA 120 -65~175
PFR10L150CT MOS Schottky L 2 10 150 0.84 100 0.74 10 TO-220AB 150 -65~175
PFR10L150CTB MOS Schottky L 2 10 150 0.84 100 0.74 10 TO-263AB 150 -65~175
PFR10L150CTF MOS Schottky L 2 10 150 0.84 100 0.74 10 ITO-220AB 150 -65~175
PFR10L150CTI MOS Schottky L 2 10 150 0.84 100 0.74 10 TO-262AA 150 -65~175
PFR10V150CT MOS Schottky V 2 10 150 0.79 100 0.63 10 TO-220AB 180 -65~175
PFR10V150CTB MOS Schottky V 2 10 150 0.79 100 0.63 10 TO-263AB 180 -65~175
PFR10V150CTF MOS Schottky V 2 10 150 0.79 100 0.63 10 ITO-220AB 180 -65~175
PFR10V150CTI MOS Schottky V 2 10 150 0.79 100 0.63 10 TO-262AA 180 -65~175
P10L200SP MOS Schottky L 1 10 200 0.86 100 0.75 10 TO-277 275 -65~150
PFR10200CT MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 TO-220AB 120 -65~175
PFR10200CTB MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 TO-263AB 120 -65~175
PFR10200CTF MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 ITO-220AB 120 -65~175
PFR10200CTI MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 TO-262AA 120 -65~175
PFR10L200CT MOS Schottky L 2 10 200 0.86 100 0.76 10 TO-220AB 150 -65~175
PFR10L200CTB MOS Schottky L 2 10 200 0.86 100 0.76 10 TO-263AB 150 -65~175
PFR10L200CTF MOS Schottky L 2 10 200 0.86 100 0.76 10 ITO-220AB 150 -65~175
PFR10L200CTI MOS Schottky L 2 10 200 0.86 100 0.76 10 TO-262AA 150 -65~175
PFR10V200CT MOS Schottky V 2 10 200 0.82 100 0.65 10 TO-220AB 150 -65~175
PFR10V200CTB MOS Schottky V 2 10 200 0.82 100 0.65 10 TO-263AB 150 -65~175
PFR10V200CTF MOS Schottky V 2 10 200 0.82 100 0.65 10 ITO-220AB 150 -65~175
PFR10V200CTI MOS Schottky V 2 10 200 0.82 100 0.65 10 TO-262AA 150 -65~175
P10L300D MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.8 10 TO-252 120 -65~175
P10L300E MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.8 10 TO-251 120 -65~175
PFR10L300CT MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.80 10 TO-220AB 150 -65~175
PFR10L300CTB MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.80 10 TO-263AB 150 -65~175
PFR10L300CTF MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.80 10 ITO-220AB 150 -65~175
PFR10L300CTI MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.80 10 TO-262AA 150 -65~175
PFR10V300CT MOS Schottky V 2 10 300 0.89 100 0.77 10 TO-220AB 180 -65~175
PFR10V300CTB MOS Schottky V 2 10 300 0.89 100 0.77 10 TO-263AB 180 -65~175
PFR10V300CTF MOS Schottky V 2 10 300 0.89 100 0.77 10 ITO-220AB 180 -65~175
PFR10V300CTI MOS Schottky V 2 10 300 0.89 100 0.77 10 TO-262AA 180 -65~175
PFR20150CT MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.75 10 TO-220AB 150 -65~175
PFR20150CTB MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.75 10 TO-263AB 150 -65~175
PFR20150CTF MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.75 10 ITO-220AB 150 -65~175
PFR20150CTI MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.75 10 TO-262AA 150 -65~175
PFR20L150CT MOS Schottky L 2 20 150 0.81 100 0.68 10 TO-220AB 180 -65~175
PFR20L150CTB MOS Schottky L 2 20 150 0.81 100 0.68 10 TO-263AB 180 -65~175
PFR20L150CTF MOS Schottky L 2 20 150 0.81 100 0.68 10 ITO-220AB 180 -65~175
PFR20L150CTI MOS Schottky L 2 20 150 0.81 100 0.68 10 TO-262AA 180 -65~175
 
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