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SMAF-A
PFC新开发SMAF-A封装型态产品,针对手机充电器及网通电源应用需要开发的高散热能力封装。     ...
 
金属氧化物整流器 Reset | View all | Print | Exce
  Part number Type VF Level Die IF (A) VB (V) VF(V) 25℃ IR(uA) 25℃ VF(V) 125℃ IR(mA) 125℃ Package IFSM(A) Tj (℃)
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P10L300D MOS Schottky L 2 10 300 0.92 100 0.8 10 TO-252 120 -65~175
P20L45D MOS Schottky L 2 20 45 0.50 300 0.47 100 TO-252 180 -65~150
P10150D MOS Schottky S 2 10 150 0.88 100 0.78 10 TO-252 80 -65~175
P20150D MOS Schottky S 2 20 150 0.88 100 0.78 10 TO-252 100 -65~175
P10200D MOS Schottky S 2 10 200 0.90 100 0.80 10 TO-252 80 -65~175
P20200D MOS Schottky S 2 20 200 0.95 100 0.85 10 TO-252 100 -65~175
P5L150DS MOS Schottky L 1 5 150 0.84 100 0.74 10 TO-252 80 -65~175
P2060D MOS Schottky S 2 20 60 0.70 500 0.65 100 TO-252 120 -40~150
P10L200D MOS Schottky L 2 10 200 0.86 100 0.76 10 TO-252 100 -65~175
P10L60D SLVF Schottky L 2 10 60 0.52 500 0.5 100 TO-252 120 -40~150
P10L60E SLVF Schottky L 2 10 60 0.52 500 0.5 100 TO-252 120 -40~150
P10L150D SLVF Schottky L 2 10 150 0.84 100 0.74 10 TO-252 100 -65~175
P10L150E SLVF Schottky L 2 10 150 0.84 100 0.74 10 TO-252 100 -65~175
P10200DS MOS Schottky S 1 10 200 0.95 100 0.85 10 TO-252 120 -65~150
P20150DS MOS Schottky S 1 20 150 0.95 100 0.85 10 TO-252 160 -65~150
 
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