MOSFET

PFC 的屏蔽栅沟槽 （SGT） MOSFET 具有出色的质量因子 （FOM） 质量，可提供高效的设计解决方案。 100 VSGT系列提供标准和逻辑电平两种型号。 PFC 的晶圆技术使 SGT MOSFET 能够产生低栅极电荷和 RDS（ON），以最大限度地减少导通损耗并创建出色的 FOM 以优化各种拓扑效率

它能够显著减小沟槽关键尺寸 （CD），从而允许更小的晶胞尺寸（节距尺寸）。 通过在外延层中利用更高的掺杂浓度，它实现了等效的击穿电压，降低了器件的Rsp和增强市场竞争力.