PFC新发展模式SMAF-A封装产品,适用于手机充电器和电源应用网络&通信需要开发...
SiC 肖特基二极管 (SiC SBD) 具有总电荷 (Qc) 小、开关损耗低和高速开关作。 因此,它被广泛用于电源的 PFC 电路中。 此外,与硅基快速恢复二极管的 trr(反向恢复时间)随温度增加不同,碳化硅 (SiC) 组件保持恒定特性,从而提高了电路性能。 制造商可以减小工业控制设备和消费类子产品的尺寸,使其成为功率因子校正电路和逆变器的理想选择这是示例文本,单击 “编辑” 按钮更改此文本。
使用SiC肖特基势垒二极管(SBD),与硅快速恢复二极管(FRD)相比,开关损耗降低了2/3.
與其他供應商相比,我們的 SiC 肖特基勢壘二極體 (SBD) 表現出更強的 IFSM 和更低的 VF 傳導損耗.